[15p-411-1~16] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[15p-411-13] Enhancement of emission power of Eu-doped GaN red LED using localized surface plasmon

〇Tomoya Yamada¹, Tomohiro Inaba¹, Takanori Kojima¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, Eu, surface plasmon

我々のグループはEu添加GaNを用いたLEDを作製し、赤色発光を得ることに成功している。更なる光出力増大の方法として、Eu発光効率の向上を目指している。Eu発光中心の近傍にAgを配置させることで、局在表面プラズモンとの結合が生じ、Eu発光寿命が短くなることと、光取り出し効率の向上が期待される。本発表では局在表面プラズモンを用いたLEDの作製、およびEu発光の短寿命化と、それに伴うEu発光強度の増大について報告する。