[15p-503-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15p-503-9] The blocking of dislocation propagation by bunched steps during Na-flux growth

〇Ryusei Kuramoto¹, Masayuki Imanishi¹, Masatomo Honjo¹, Kosuke Murakami¹, Hiroki Imabayashi¹, Mamoru Imade¹, Masashi Yoshimura¹, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:dislocation, inclusion

本研究では、Naフラックス法を用いた結晶育成において、成長層-種結晶界面で転位を発生させないためにピロりん酸処理を行った際の、成長過程での転位密度挙動を観察した。その結果、ピロりん酸処理を行った結晶において、成長後期に転位密度が減少した。一方、成長後期にインクルージョン含有量が増加していることに着目し、インクルージョン含有領域直上の転位密度を測定したところ、無転位領域が存在していた。