2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月15日(水) 13:45 〜 18:15 503 (503)

岩谷 素顕(名城大)、船戸 充(京大)、寒川 義裕(九大)

16:00 〜 16:15

[15p-503-9] Naフラックス法におけるステップバンチングを活用した転位伝播抑制

蔵本 流星1、今西 正幸1、本城 正智1、村上 航介1、今林 弘毅1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1 (1.阪大院工)

キーワード:転位、インクルージョン

本研究では、Naフラックス法を用いた結晶育成において、成長層-種結晶界面で転位を発生させないためにピロりん酸処理を行った際の、成長過程での転位密度挙動を観察した。その結果、ピロりん酸処理を行った結晶において、成長後期に転位密度が減少した。一方、成長後期にインクルージョン含有量が増加していることに着目し、インクルージョン含有領域直上の転位密度を測定したところ、無転位領域が存在していた。