[15p-514-1~14] 9.5 New functional materials and new phenomena

[15p-514-9] Band gap engineering of black phosphorus by electrochemical etching

〇(DC)Yohei Sato¹, Takanari Takahashi², Yumiko Katayama¹, Takao Sasagawa², Kazunori Ueno¹ (1.Univ. Tokyo, 2.Tokyo Tech)

Keywords:black phosphorus, electrochemical etching, layered material

黒リンは有限のバンドギャップを持つ層状半導体であり、5原子層以下では厚さに応じてバンドギャップの大きさが 0.2 eVから 2 eV程度まで変化する事が知られている。一方、電気二重層トランジスタでは、チャネル材料を電解液で保護しながら電気化学エッチングにより膜厚制御する事ができる。今回、数原子層黒リンの両側動作電気二重層トランジスタの作製に成功し、エッチングに伴うバンドギャップの増加を観測した。