[15p-514-1~14] 9.5 新機能材料・新物性

[15p-514-9] 電気化学エッチングによる黒リンのバンドギャップ制御

〇(DC)佐藤 洋平¹、高橋 敬成²、片山 裕美子¹、笹川 崇男²、上野 和紀¹ (1.東大院総合、2.東工大フロンティア研)

キーワード：黒リン、電気化学エッチング、層状物質

黒リンは有限のバンドギャップを持つ層状半導体であり、5原子層以下では厚さに応じてバンドギャップの大きさが 0.2 eVから 2 eV程度まで変化する事が知られている。一方、電気二重層トランジスタでは、チャネル材料を電解液で保護しながら電気化学エッチングにより膜厚制御する事ができる。今回、数原子層黒リンの両側動作電気二重層トランジスタの作製に成功し、エッチングに伴うバンドギャップの増加を観測した。