[15p-F204-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-F204-13] Analysis on Reverse Recovery Characteristics of SiC-pin Diode Using Body Diode of SiC-pMOSFET

〇(M1)Taiga Goto¹, Takuma Shirai¹, Noriyuki Iwamuro¹, Kenji Fukuda² (1.Tsukuba Univ., 2.AIST)

Keywords:SiC, Diode, Reverse Recovery Characteristic

本研究は加速器向け電源等に用いられる、超高電圧(~10 kV)・高速パルス(<5 ns)を生成するためのSiC-pinダイオードの素子設計指針を明確にすることを目的としている。所望の電圧は上記ダイオードの逆回復現象を用いて発生させる。今回は、SiC-pinダイオードの逆回復現象の測定を、本研究室で世界初として試作した縦型SiC-pMOSFETのボディダイオードを用いて行い、先行研究のシミュレーション結果と比較、検討した。