一般セッション(口頭講演)

[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 F204 (F204)

石川由加里(JFCC)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [15a-F204-1] Cr単一溶媒によるSiC溶液成長における育成温度と結晶品質の関係

〇鈴木皓己¹、太子敏則^1,2 (1.信州大工、2.信州大環境・エネ研)

09:15 〜 09:30

[15a-F204-2] 溶液法n型4H-SiCオフ基板の作製と結晶評価

〇楠一彦¹、関和明¹、岸田豊¹、海藤宏志¹、森口晃治¹、大黒寛典²、加渡幹尚²、土井雅喜²、旦野克典²、関章憲²、白井嵩幸²、斎藤広明²、別所毅² (1.新日鐵住金、2.トヨタ自動車)

09:30 〜 09:45

△ [15a-F204-3] 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

〇藤榮文博¹、原田俊太¹、村山健太¹、花田賢志¹、陳鵬磊¹、加藤智久²、田川美穂¹、宇治原徹^1,2 (1.名大、2.産総研)

09:45 〜 10:00

[15a-F204-4] X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長

〇酒井武信¹、加渡幹尚²、大黒寛典²、原田俊太³、宇治原徹³ (1.名大未来社会創造機構、2.トヨタ自動車㈱、3.名大未来材料・システム研)

10:00 〜 10:15

[15a-F204-5] 凹界面形状溶液成長における4H-SiCの多形安定機構の検討

〇(D)大黒寛典¹、川西咲子²、吉川健¹ (1.東大工、2.東北大工)

10:15 〜 10:30

[15a-F204-6] SiC溶液成長結晶のドーピング制御に向けた4H-SiC中Al, Nの熱力学

〇川西咲子¹、柴田浩幸¹、吉川健² (1.東北大多元研、2.東大生研)

10:45 〜 11:00

[15a-F204-7] SiCエピリアクタクリーニングのための熱分解炭素被膜耐腐食性調査

塩田耕平¹、〇羽深等¹、伊藤英樹²、三谷慎一²、高橋至直³ (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

11:00 〜 11:15

[15a-F204-8] 4H-SiCマイクロトレンチ埋込エピタキシャル成長における律速過程

〇望月和浩¹、紀世陽¹、小杉亮治¹、米澤喜幸¹、奥村元¹ (1.産総研)

11:15 〜 11:30

▲ [15a-F204-9] Investigation on the optimal growth region for 4H-SiC CVD trench filling

〇紀世陽¹、小杉亮治¹、児島一聡¹、望月和浩¹、齊藤新吾¹、松川康子¹、米澤喜幸¹、吉田貞史¹、奥村元¹ (1.産総研)

11:30 〜 11:45

[15a-F204-10] 低不純物濃度４H-SiC C面エピタキシャル膜のキャリアライフタイム

〇櫛部光弘¹、西尾譲司¹、四戸孝¹、宮坂晶²、浅水啓州³、北井秀憲²、原田信介²、児島一聡² (1.㈱東芝、2.産業技術研究所、3.ローム（株）)

11:45 〜 12:00

△ [15a-F204-11] 顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定

〇(M1)前伸一¹、俵武志^2,3、土田秀一⁴、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研、3.富士電機、4.電中研)

12:00 〜 12:15

[15a-F204-12] 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

〇片平真哉¹、市川義人¹、原田俊太²、木本恒暢³、加藤正史¹ (1.名工大、2.名大、3.京大)

一般セッション(口頭講演)

[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2017年3月15日(水) 13:30 〜 19:00 F204 (F204)

牧野高紘(量研機構)、加藤正史(名工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 14:00

[15p-F204-1] [第7回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）受賞記念講演] ワイドバンドギャップ半導体結晶の欠陥評価法に関する研究

〇石川由加里¹ (1.ファインセラミックスセンター)

14:00 〜 14:15

[15p-F204-2] [講演奨励賞受賞記念講演] 4H-SiCエピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥と基底面転位構造の関係

〇飯島彬文¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京都大学工学研究科)

14:15 〜 14:30

[15p-F204-3] 走査電子顕微鏡プローブビームによる電子線照射下での4H-SiC中の部分転位運動

中田龍¹、〇山下善文¹、西川亘¹、羽田真毅¹、林靖彦¹ (1.岡山大院自然)

14:30 〜 14:45

[15p-F204-4] 高濃度Al ドープ4H-SiC のHall 効果測定における
ホール電圧の反転現象

〇(M2)竹下明伸¹、今村辰哉¹、高野晃大¹、奥田和也¹、松浦秀治¹、紀世陽²、江藤数馬²、児島一聡²、加藤智久²、吉田貞史²、奥村元² (1.大阪電通大、2.産総研)

14:45 〜 15:00

[15p-F204-5] 高濃度Al ドープ4H-SiC の伝導機構の評価と低抵抗率化の可能性

15:00 〜 15:15

[15p-F204-6] 各種作製法によるAl-Nコドープ4H-SiCのの電気的特性の評価

〇(M2)竹下明伸¹、今村辰哉¹、高野晃大¹、奥田和也¹、松浦秀治¹、紀世陽²、三谷武志²、江藤数馬²、児島一聡²、加藤智久²、吉田貞史²、奥村元² (1.大阪電通大、2.産総研)

15:30 〜 15:45

[15p-F204-7] 4H-SiC中へのAlのレーザドーピングおけるドープ領域の調査

〇池田晃裕¹、角名陸歩¹、筒井良太¹、池上浩¹、浅野種正¹ (1.九大シス情)

15:45 〜 16:00

[15p-F204-8] シリコンキャップアニールによるn型4H-SiCのオーミック電極形成

〇(M2)谷口太一¹ (1.広大院)

16:00 〜 16:15

[15p-F204-9] 界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価

〇塩島謙次¹、三品直樹¹、市川尚澄²、加藤正史² (1.福井大院工、2.名工大)

16:15 〜 16:30

[15p-F204-10] 光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定

〇加藤正史¹、前伸一¹、米澤喜幸²、加藤智久² (1.名工大、2.産総研)

16:30 〜 16:45

[15p-F204-11] 紫外線照射による4H-SiCエピ膜中におけるSingle Shockley型積層欠陥の拡張と縮小

〇田中貴規¹、塩見弘¹、川畑直之²、米澤喜幸¹、加藤智久¹、奥村元¹ (1.産総研、2.三菱電機)

16:45 〜 17:00

[15p-F204-12] SiC-p⁺/p^-/n⁺型ダイオードの逆回復時におけるキャリアの掃出しとパルス生成の関係性解析

〇白井琢毬¹、岩室憲幸¹、福田憲司² (1.筑波大学、2.産総研)

17:00 〜 17:15

[15p-F204-13] SiC-pMOSFETのボディダイオードを用いたSiC-pinダイオードの逆回復特性解析

〇(M1)後藤大河¹、白井琢毬¹、岩室憲幸¹、福田憲司² (1.筑波大、2.産総研)

17:30 〜 17:45

[15p-F204-14] 逆バイアス時の熱暴走に対するSiC-SBDの安定性の評価

〇中川穣¹、森誠悟¹、南園悠一郎¹、明田正俊¹、浅原浩和¹、中村孝¹ (1.ローム(株))

17:45 〜 18:00

[15p-F204-15] SiC pin ダイオード中の発光中心の観察

〇常見大貴^1,2、本多智也^1,2、牧野高紘²、小野田忍²、佐藤真一郎²、土方泰斗¹、大島武² (1.埼玉大学、2.量研機構)

18:00 〜 18:15

[15p-F204-16] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性

〇阿部裕太¹、岡本光央²、小野田忍³、大島武³、春山盛善^3,4、加田渉⁴、花泉修⁴、小杉亮治²、原田信介²、梅田享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.量研機構、4.群大理工)

18:15 〜 18:30

[15p-F204-17] NbNiシリサイドを導入した4H-SiC pMOSFETsの研究

〇(M1)梶原純¹、黒木伸一郎¹、石川誠治^1,2、前田知徳^1,2、瀬崎洋^1,2、吉川公麿¹、牧野高紘³、大島武³、 Östling Mikael⁴、 Zetterling Carl-Mikael⁴ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック、3.量研機構、4.スウェーデン王立工大)

18:30 〜 18:45

[15p-F204-18] 傾斜SiC表面の1次元周期構造

〇香田稜太¹、福間洸平¹、安藤寛¹、ビシコフスキーアントン¹、田中悟¹ (1.九大院工)

18:45 〜 19:00

[15p-F204-19] 4H-SiC m面のN₂アニールによる構造変化

〇塩路淳¹、ビシコフスキーアントン¹、梶原隆司¹、田中悟¹ (1.九大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2017年3月16日(木) 09:30 〜 11:30 P5 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[16a-P5-1] TSSG-SiC溶液成長における種子付け時の温度差が結晶品質に与える影響

〇土本直道¹、沓掛穂高¹、鈴木皓己¹、高橋大¹、玄光龍¹、太子敏則¹ (1.信大工)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-2] ミラー電子顕微鏡によるCMP加工されたSiCウェハーの潜傷検出とSEM, AFM，FIB-STEM連携による構造評価

〇一色俊之¹、佐藤高広²、長谷川正樹²、宮木充史²、伊与木誠人²、山岡武博²、小貫勝則²、小林健二² (1.京都工繊大、2.日立ハイテク)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-3] 転位動力学シミュレーションに基づく4H-SiCの積層欠陥形状形成の再現

〇榊間大輝¹、波田野明日可¹、泉聡志¹、牛流章弘²、廣畑賢治² (1.東大工、2.東芝研究開発センター)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-4] 4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係

〇林将平^1,2、山下任^1,3、先崎純寿¹、宮里真樹^1,4、呂民雅^1,4、宮島將昭^1,4、米澤喜幸¹、加藤智久¹、児島一聡¹、奥村元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工、4.富士電機)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-5] レーザアニールによるn⁺ 4H-SiC C面でのTi-Si-Cオーミックコンタクトの形成

〇ミランタデシルワ¹、川崎輝尚²、吉川公麿¹、黒木伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.住友重機械工業株式会社)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-6] Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善

〇村岡幸輔¹、瀬崎洋^1,2、石川誠治^1,2、前田智徳^1,2、吉川公麿¹、黒木伸一郎¹ (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテックセミコンダクター)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-7] 4H-SiC MOS キャパシタにおけるSiC表面のCF₄エッチングの効果

〇(B)小早川貴一¹、村岡幸輔¹、瀬崎洋^1,2、石川誠治^2,1、前田知徳^2,1、吉川公麿¹、黒木伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-8] SiC MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷収集の電圧依存

〇牧野高紘¹、高野修平^1,2、原田信介³、児島一聡³、土方泰斗²、大島武¹ (1.量研機構、2.埼玉大学、3.産総研)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-9] 高温環境によるSiC MOSFETsのガンマ線照射劣化の抑制

〇武山昭憲¹、松田拓磨^1,2、三友啓^1,2、村田航一^1,2、牧野高紘¹、小野田忍¹、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、土方泰斗²、大島武¹ (1.量研機構、2.埼玉大院理工研、3.サンケン電気)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-10] 熱酸化膜/SiC界面近傍の不均一層とそのリーク電流特性

〇永井龍¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-11] 電流検出ESRによるドライ酸化、窒化Si面SiC-MOSFET界面の比較

〇梅田享英¹、 Geonwoo Kim¹、吉岡裕典²、小杉亮治²、原田信介² (1.筑波大数物、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-12] C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析

〇鹿児山陽平¹、岡本光央²、吉岡裕典²、原田信介²、山崎隆浩³、大野隆央³、梅田享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.物材機構)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-13] ドライ酸化、窒化、POCl₃処理Si面SiC-MOS界面の電子スピン共鳴分光

〇(M2)金建佑¹、奥田貴史²、須田淳²、木本恒暢²、岡本光央³、原田信介³、梅田享英¹ (1.筑波大数物、2.京都大、3.産総研)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-14] 高速動作パワー素子のターンオフ時における配線表皮効果のコンパクトモデリング

〇福田浩一¹、服部淳一¹、佐藤佳宏¹、佐藤弘¹、山口浩¹ (1.産総研)

09:30 〜 11:30

[16a-P5-15] 冷熱サイクル試験にかけたSiCダイアタッチの非破壊・破壊複合解析

〇山下真理¹、鈴木達広¹、荒木祥和¹、森哲也¹、荻原尚志²、田中秀和²、薬丸尚志³、谷本智¹ (1.日産アーク、2.ケースレーインスツルメンツ、3.日立パワーソリューションズ)

一般セッション(口頭講演)

[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:15 301 (301)

染谷満(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[17a-301-1] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ及び酸化膜の局所特性評価

中西英俊¹、〇西村辰彦¹、藤田雄也¹、北村藤和¹、水端稔¹、川山巌²、斗内政吉² (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)

09:15 〜 09:30

[17a-301-2] 電流計測AFMとSNDMによるSiO₂/4H-SiC界面の不均一性評価

〇山岸裕史¹、茅根慎通¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

09:30 〜 09:45

△ [17a-301-3] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた局所DLTSによる界面トラップ分布の時定数依存性の観察

〇茅根慎通¹、小杉亮治²、田中保宣²、原田信介²、奥村元²、長康雄¹ (1.東北大、2.産総研)

09:45 〜 10:00

[17a-301-4] 4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション
～界面における炭素関連欠陥の電子状態～

〇山崎隆浩^1,2、田島暢夫^1,2、金子智昭^1,2、奈良純^1,2、清水達夫³、加藤弘一⁴、大野隆央^1,2 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東芝研究開発センター、4.東大生産研)

10:00 〜 10:15

△ [17a-301-5] 電荷移動型分子動力学法による4H-SiCの熱酸化シミュレーション

〇(D)高本聡¹、山崎隆浩^2,3、大野隆央^2,3,4、金田千穂子^3,5、泉聡志¹、酒井信介¹ (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.東大生産研、5.富士通研究所)

10:15 〜 10:30

△ [17a-301-6] SiC熱酸化中に発生するSiO₂中の欠陥形成

〇長川健太¹、洗平昌晃^1,2、白石賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

10:45 〜 11:00

[17a-301-7] ドライおよびN₂O酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子占有欠陥評価

〇渡辺浩成¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、森大輔²、寺尾豊²、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.富士電機(株))

11:00 〜 11:15

[17a-301-8] SiC(000-1)のウェット酸化における界面酸化剤濃度

〇芹澤直也¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大学)

11:15 〜 11:30

[17a-301-9] SiC C 面上に水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO₂膜の
熱処理による電流－電圧特性改善

〇(M1)飯塚望¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大)

11:30 〜 11:45

[17a-301-10] 4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響

〇木内祐治^1,2、染谷満¹、岡本大³、畠山哲夫¹、原田信介¹、矢野裕司³、米澤喜幸¹、奥村元¹ (1.産総研、2.新日本無線、3.筑波大学)

11:45 〜 12:00

[17a-301-11] FNストレスによるSiC-MOSFETゲート電流の特異な挙動

古市貴大¹、三原佳樹¹、桝口和樹¹、〇村上英一¹ (1.九産大工)

12:00 〜 12:15

[17a-301-12] TEOS-CVD-SiO₂膜の絶縁特性の基板効果

〇川村浩晃¹、前田貫太¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大学)

一般セッション(口頭講演)

[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2017年3月17日(金) 13:45 〜 17:00 301 (301)

朽木克博(トヨタ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:15

[17p-301-1] [第7回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）受賞記念講演] SiCトレンチMOSFETの低オン抵抗化に向けたゲート絶縁膜プロセスの研究

〇有吉恵子¹ (1.東芝)

14:15 〜 14:30

[17p-301-2] 4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化

黒山滉平¹、平井悠久¹、山本建策²、林真理子²、細川徳一²、〇喜多浩之¹ (1.東大院工、2.(株)デンソー)

14:30 〜 14:45

△ [17p-301-3] 4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異

〇梶房裕之¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

14:45 〜 15:00

[17p-301-4] 酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割

〇石野田圭¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

15:00 〜 15:15

[17p-301-5] O₂共存H₂O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による4H-SiC MOSFET移動度向上

〇(DC)平井悠久¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

15:30 〜 15:45

△ [17p-301-6] 熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFET の電気特性評価

〇勝義仁¹、辻英徳^1,2、アイエレキディストモーゲス¹、染谷満^1,3、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機、3.産総研)

15:45 〜 16:00

△ [17p-301-7] 希土類元素存在下でのSiC/SiO₂界面での酸窒化の促進

〇作田良太¹、平井悠久¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

16:00 〜 16:15

[17p-301-8] Ba 増膜酸化 SiO₂/SiC における表面粗さの Ba 膜厚及び酸化温度依存性

〇藤田栄悟¹、田中誠人¹、チャンタパンアタウット¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

16:15 〜 16:30

△ [17p-301-9] SiC MOS反転層におけるホール効果移動度の低下機構

〇野口宗隆¹、岩松俊明¹、網城啓之¹、渡邊寛¹、中田修平¹、黒岩丈晴¹、喜多浩之²、山川聡¹ (1.三菱電機、2.東大工)

16:30 〜 16:45

[17p-301-10] SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性

〇天野貴章¹、岡本大¹、原田信介²、畠山哲夫²、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大工、2.産総研)

16:45 〜 17:00

[17p-301-11] 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性

〇王緒昆¹、岡本大¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大)

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15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-F204-1] Cr単一溶媒によるSiC溶液成長における育成温度と結晶品質の関係

△ [15a-F204-3] 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

▲ [15a-F204-9] Investigation on the optimal growth region for 4H-SiC CVD trench filling

△ [15a-F204-11] 顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定

[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17a-301-3] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた局所DLTSによる界面トラップ分布の時定数依存性の観察

△ [17a-301-5] 電荷移動型分子動力学法による4H-SiCの熱酸化シミュレーション

△ [17a-301-6] SiC熱酸化中に発生するSiO2中の欠陥形成

[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17p-301-3] 4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異

△ [17p-301-6] 熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFET の電気特性評価

△ [17p-301-7] 希土類元素存在下でのSiC/SiO2界面での酸窒化の促進

△ [17p-301-9] SiC MOS反転層におけるホール効果移動度の低下機構

認証

△ [17a-301-6] SiC熱酸化中に発生するSiO₂中の欠陥形成

△ [17p-301-7] 希土類元素存在下でのSiC/SiO₂界面での酸窒化の促進