[15p-F204-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-F204-19] N₂ annealing and structural analysis of 4H-SiC m-surfaces

〇Atsushi Shioji¹, Anton Visikovskiy¹, Takashi Kajiwara¹, Satoru Tanaka¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:surface structure

SiC-MOSFETにおいて、SiO₂/4H-SiC(1-100)界面の窒化により飛躍的な性能向上の可能性がある。そこで、我々は市販m面(1-100)SiC基板にN₂アニールを行い、AFM、LEED、XPSを用いて表面構造を調べた。LEEDでは、実空間1次元構造に対応しているストリークが観察され、XPSでは、N1s軌道においてN-Si結合を示すピークが観察された。即ち、N₂アニール後の表面では、窒素原子がSi原子と結合し、[0001]方向に1次元構造を形成していることが考えられる。