[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-5] 凹界面形状溶液成長における4H-SiCの多形安定機構の検討

〇(D)大黒 寛典¹、川西 咲子²、吉川 健¹ (1.東大工、2.東北大工)

キーワード：溶液成長、ポリタイプ、SiC

溶媒にAlを添加することで溶液法で成長した4H-SiC単結晶の4Hが安定化する機構を調査した。Al添加のC溶解度への影響を調査した結果、C溶解度には影響を与えないことがわかった。溶媒物性もしくは界面物性に影響を与えていることが示唆される。
凹形状で成長した結晶は、{1-10m}ファセットの両端部が最成長部であり、スパイラル成長ではなく結晶端部に{1-102}が安定成長することで4H多形が継承されていると推測される。溶媒にAlを添加することで{1-102}の安定性が高くなり、4H維持に寄与していると推測される。