[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-4] X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長

〇酒井 武信¹、加渡 幹尚²、大黒 寛典²、原田 俊太³、宇治原 徹³ (1.名大未来社会創造機構、2.トヨタ自動車㈱、3.名大未来材料・システム研)

キーワード：４H-SiC、溶液成長、その場観察

SiC溶液成長技術は高品質バルク結晶を実現できる可能性の大きい手法であるものの、転位や多形変化等の課題がある。これまで、X線透過法を活用したその場観察手法を開発し、結晶との表面張力により生ずる溶液の形状であるメニスカスの高さが、結晶成長に伴って変化する状況を観察・計測してきた。本研究では、メニスカス高さを制御して結晶成長をした時の結晶の成長や多形との相関性を明らかにする。