[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-1] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ及び酸化膜の局所特性評価

中西 英俊¹、〇西村 辰彦¹、藤田 雄也¹、北村 藤和¹、水端 稔¹、川山 巌²、斗内 政吉² (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)

キーワード：炭化ケイ素、シリコンカーバイド、絶縁膜、テラヘルツ波、THz波

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡（LTEM）は、フェムト秒レーザーを様々な試料に照射し、それから放射されるテラヘルツ波を検出、イメージ化する技術である。前回、我々は、LTEM を4H-SiC ウエハ･フォトダイオード評価に適用した。今回は同技術を4H-SiC ウエハ・熱酸化膜の特性評価に適用したので報告する。得られた結果から、LTEM 技術がSiC 結晶表面ならびにSiO2/SiC 界面の材料界面の分析・評価に応用できる可能性を示すことができたと考えている。