[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17a-301-5] 電荷移動型分子動力学法による4H-SiCの熱酸化シミュレーション

〇(D)高本 聡¹、山崎 隆浩^2,3、大野 隆央^2,3,4、金田 千穂子^3,5、泉 聡志¹、酒井 信介¹ (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.東大生産研、5.富士通研究所)

キーワード：分子動力学、酸化シミュレーション、電荷移動型ポテンシャル

本研究では，多数のSiC/SiO2界面構造をフィッティングした電荷移動型ポテンシャルを作成し，Si面とC面についてSiCの熱酸化シミュレーションを行った．いずれの場合も酸化膜の成長がみられ，特にC面ではより速く成長する様子がみられた．C面で顕著であった不規則な界面が酸化速度に寄与していると考えられる．またCは一部がクラスタとして酸化膜中に残り，後から酸化により脱離していく様子がみられた．