[15p-F204-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-F204-2] [JSAP Young Scientist Award Speech] Correlation between shapes of Shockley stacking faults and structure of basal plane dislocations in 4H-SiC epilayers

〇Akifumi Iijima¹, Jun Suda¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, basal plane dislocation, stacking fault

本研究では、PLイメージング測定を用いて、基底面転位を起点として発生する積層欠陥の拡大形状を観察し、元の基底面転位の構造と拡大した積層欠陥の形状の関係について考察した。転位構造に基づいて、基底面転位のすべてのパターンを考え、それぞれの基底面転位から拡大する積層欠陥形状を推測した。推測した拡大形状とPLイメージング測定によって観測された拡大形状は、よい相関関係を示すことを確認することに成功した。