[15p-F206-1~14] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[15p-F206-8] 遺伝的アルゴリズムによる低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索

〇高橋 憲彦¹、劉 宇¹、橋間 正芳¹、金田 千穂子¹ (1.富士通研)

キーワード：SiGe積層構造、熱伝導率、フォノン

積層の仕方が異なるSi/Ge積層構造に対して遺伝的アルゴリズムの手法を適用し、フォノンモードごとの空間的な局在性を表す指標となる量であるParticipation Ratio (P値)の計算結果から低熱伝導率構造の予測を行った。分子動力学法を用いて計算したSi/Ge積層構造の熱伝導率とP値の計算結果は非常に良い相関を示し、P値による熱伝導率の予測が可能であることが分かった。