2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15p-P14-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 P14 (展示ホールB)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-11] Al2O3/SiO2混合酸化膜の熱安定性

伊藤 健治1、菊田 大悟1、成田 哲夫1、片岡 恵太1、森 朋彦1 (1.豊田中研)

キーワード:窒化ガリウム、ゲート絶縁膜、混合酸化膜

GaN-MOS用絶縁膜としてAl2O3/SiO2混合酸化膜を検討している。Al2O3では850℃の熱処理により微結晶化するが、SiO2を混合することによりこの微結晶化を抑制できることが明らかとなった。