16:00 〜 18:00
[15p-P14-11] Al2O3/SiO2混合酸化膜の熱安定性
キーワード:窒化ガリウム、ゲート絶縁膜、混合酸化膜
GaN-MOS用絶縁膜としてAl2O3/SiO2混合酸化膜を検討している。Al2O3では850℃の熱処理により微結晶化するが、SiO2を混合することによりこの微結晶化を抑制できることが明らかとなった。
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2017年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 P14 (展示ホールB)
16:00 〜 18:00
キーワード:窒化ガリウム、ゲート絶縁膜、混合酸化膜