[15p-P14-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[15p-P14-2] SiO₂の高温動特性に対するSiOの効果の検討

〇矢島 雄司¹、影島 博之^1,4、白石 賢二^2,4、遠藤 哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

キーワード：シリコン酸化膜

平面型半導体の極微細化に伴う問題を解決するため、縦型BC-MOSFETが考案された。縦型BC-MOSFETのゲート酸化膜に使われるシリコンの三次元での酸化は二次元の酸化とは異なることが既に知られていて、またその際の三次元の酸化過程の詳細はまだ知られていない。今稿では三次元の場合のシリコンの熱酸化過程での特性やメカニズムを調べる前段階として高温条件下でのSiO₂の動特性とそれに対するSiOの効果を検討した。