[15p-P15-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-P15-7] 1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおける書き換えストレス緩和技術

〇出口 慶明¹、小林 惇朗¹、竹内 健¹ (1.中大理工)

キーワード：NAND型フラッシュメモリ、TLC、データ保持エラー

TLC NAND型フラッシュメモリは、1つのメモリセルに3bitを保存することで低コスト・大容量を実現する。しかし、書き換えによる劣化や時間経過とともに発生するデータ保持エラーにより信頼性が低下する。本論文では、1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおいて、データ保持エラーの書き換えストレスからデータ書き込みまでの時間依存性を調査し、ウェアレベリングを用いてデータ保持エラーの削減を行う。