The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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15 Crystal Engineering » 15.1 Bulk crystal growth

[15p-P6-1~2] 15.1 Bulk crystal growth

Wed. Mar 15, 2017 1:30 PM - 3:30 PM P6 (BP)

1:30 PM - 3:30 PM

[15p-P6-2] Growth of Mg-doped β-Ga2O3 single crystals by TSFZ method

〇(M1C)Daiki Fukudome1, Nagao Masanori1, Watauchi Satoshi1, Tanaka Isao1 (1.Yamanashi Univ.)

Keywords:gallium oxide, Floating Zone method

良質なp型β-Ga2O3単結晶育成に成功した例がほとんどない。そこでMgをアクセプタ不純物としてドープすることでp型β-Ga2O3単結晶の育成を試みた。本研究ではFloating Zone(FZ)法に着目し、Mgを含有した溶媒を用いたTraveling Solvent Floating Zone(TSFZ)法によるMg添加β-Ga2O3単結晶の育成および評価を行った。