[15p-P7-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P7-5] スパッタエピタキシー法によるSiGeHEMTの低温成膜プロセスの評価

〇大久保 克己¹、本橋 叡¹、出蔵 恭平¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、塚本 貴広¹、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.情報通信研究機構)

キーワード：SiGe、高電子移動度トランジスタ、スパッタエピタキシー