[16a-302-1~11] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[16a-302-10] The device characteristics of pentacene-based OFET with scaled S/D electrodes formation utilizing lift-off process

〇Mizuha Hiroki¹, Yasutaka Maeda¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:OFET, pentacene, PMA

前回我々は、リフトオフプロセスにより、Au-7.4%Geをソース/ドレイン(S/D)電極として作製したトップゲート(TG)型OFETについて報告した。しかし、チャネル領域におけるリソグラフィプロセスの影響により移動度が低いといった課題があった。今回、バックゲート(BG)型OFETを作製し、S/D電極形成後のデバイス特性向上に関する検討を行ったので報告する。