[16a-302-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ

[16a-302-10] リフトオフによる微細S/D電極形成とOFETのデバイス特性

〇廣木 瑞葉¹、前田 康貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：OFET、ペンタセン、PMA

前回我々は、リフトオフプロセスにより、Au-7.4%Geをソース/ドレイン(S/D)電極として作製したトップゲート(TG)型OFETについて報告した。しかし、チャネル領域におけるリソグラフィプロセスの影響により移動度が低いといった課題があった。今回、バックゲート(BG)型OFETを作製し、S/D電極形成後のデバイス特性向上に関する検討を行ったので報告する。