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△ [16a-412-10] Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピングの応用
キーワード:チャージポンピング、界面欠陥、SOI
チャージポンピング(CP)中の過渡電流を検出する実時間CPをsilicon-on-insulator(SOI)デバイスに応用し、基板の極性による過渡電流の強い依存を発見した。基板が正バイアスの場合、電子捕獲に起因する電流が消える(または小さい)のを見出し、これは捕獲された電荷の効果で与えられる。この結果はバックチャネル形成の重要性を明らかにし、SOIデバイスのCPの更なる解析のための情報を与える。