[16a-412-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [16a-412-10] Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピングの応用

〇(DC)渡辺 時暢^1,2、堀 匡寛¹、土屋 敏章³、藤原 聡⁴、小野 行徳¹ (1.静岡大電研、2.富山大院理工、3.島根大総合理工、4.NTT物性研)

キーワード：チャージポンピング、界面欠陥、SOI

チャージポンピング(CP)中の過渡電流を検出する実時間CPをsilicon-on-insulator(SOI)デバイスに応用し、基板の極性による過渡電流の強い依存を発見した。基板が正バイアスの場合、電子捕獲に起因する電流が消える(または小さい)のを見出し、これは捕獲された電荷の効果で与えられる。この結果はバックチャネル形成の重要性を明らかにし、SOIデバイスのCPの更なる解析のための情報を与える。