[16a-412-1~10] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[16a-412-9] Evaluation of SOI back interface state density by CP method

〇Kazuma Takeda¹, Jiro Ida¹, Takuro Hayashi¹, Ryutaro Hosono¹, Yasuo Arai² (1.Kanazawa inst., 2.High Energy Orga.)

Keywords:CP method, SOI, interface state

SOIMOSFETのBOX層裏面に存在する界面準位を測定するためにテストデバイスを作成した。また、厚膜でCP法を適応させるためにシミュレーションを行い表面ポテンシャルの変化量を調べた。テストデバイスでCP法を用いてBOX層裏面に存在する界面準位を測定した。