10:15 〜 10:30
[16a-412-4] [第8回シリコンテクノロジー分科会奨励賞受賞記念講演] Laminated Mo/C Electrodes for 4H-SiC Schottky Barrier Diodes with Ideal Interface Characteristics
キーワード:シリコンテクノロジー分科会奨励賞
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術
10:15 〜 10:30
キーワード:シリコンテクノロジー分科会奨励賞