10:15 〜 10:30 [16a-412-4] [第8回シリコンテクノロジー分科会奨励賞受賞記念講演] Laminated Mo/C Electrodes for 4H-SiC Schottky Barrier Diodes with Ideal Interface Characteristics 〇鈴木 智之1、若林 整1、筒井 一生1、岩井 洋1、角嶋 邦之1 (1.東工大)