[16a-412-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[16a-412-5] 通常のSRAMセルを利用した一括書き込み可能な不揮発性メモリ

〇水谷 朋子¹、竹内 潔¹、更屋 拓哉¹、篠原 尋史²、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.早大)

キーワード：不揮発性メモリ、SRAM

本研究では，通常のSRAMを利用した新しい方式の不揮発性メモリを提案し，0.18μm技術で作製したDMA-TEGを用いて，2kビットの不揮発書き込みを確認したので報告する．