[16a-412-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[16a-412-8] ミニマルファブで作成したpMOSFETの電気的特性のばらつき評価

〇古賀 拓哉¹、居村 史人^1,2、ファン アン チュアン¹、ヴー マン ザップ¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技組、2.産総研)

キーワード：ミニマルファブ

我々は、投資コストを1/1,000に抑える多品種少量向け超小型電子デバイス製造ライン・ミニマルファブの開発を進めている。これまで、主な前工程製造装置群を開発し、pMOSFET, CMOS等を試作してきた。今後は、ミニマルファブを実際にデバイス製造システムとして利用するために求められるデバイス特性の安定性を向上させてゆく必要がある。今回は、デバイスレベルでの安定性評価のはじめの段階として、ミニマル装置を使って作るpMOSFETの電気的特性を評価したので報告する。