[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[16a-413-1] Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

〇名倉 拓哉¹、川内 伸悟²、長川 健太²、白川 裕規²、洗平 昌晃^2,3,7、影島 博之^4,7、遠藤 哲郎^5,6,7、白石 賢二^2,3,7 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.島根大院総合理工、5.東北大院工、6.国際集積セ、7.JST-ACCEL)

キーワード：半導体、シリコン熱酸化、第一原理計算