[16a-413-1~12] 13.3 Insulator technology

[16a-413-5] Characteristic of admittance in MOS structure with anodic oxide film

〇(M1)Tomoo Nakata¹, Ki Tyou¹, Yan Wu¹, Yoshihiro Takahashi¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:semiconductor, anodic oxidation system, silicon oxide film

シリコン酸化膜成膜プロセスの低温化を目的とし，陽極酸化法にて成膜を行った．結果，室温の純水中で成膜が可能であることを確認した．陽極酸化膜を有するMOS構造の蓄積領域における容量には測定周波数依存性がある．その特徴的な特性を表現するために，CR直列接続回路が酸化膜容量に並列接続している等価回路を設定した．本等価回路を用いることでアドミタンスの周波数特性を精度良く表現できることを明らかにした．