[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[16a-413-9] High-k/SiO₂界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察

〇堀田 育志¹、佐伯 郁弥¹、西 慎太郎¹、伊藤 明²、中西 英俊²、吉田 晴彦¹、新船 幸二¹、佐藤 真一¹、斗内 政吉³、川山 巌³ (1.兵県大工、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)

キーワード：レーザーテラヘルツ放射顕微鏡、界面双極子、三色超構造

High-k/SiO₂ 界面で生じる界面双極子がシリコン基板表面のバンド構造に与える影響をレーザーテラヘルツ放射顕微鏡法を用いて調べた。