[16a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-419-3] 抵抗変化メモリの導電性パス生成機構 ~Grain surface tiling model の検証~

〇(B)肥田 聡太¹、森山 拓洋¹、山崎 隆浩²、大野 隆央²、吉武 道子²、岸田 悟^1,3、木下 健太郎^1,3 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、粒界、金属酸化物