[16a-419-1~12] 6.3 Oxide electronics

[16a-419-9] Resistive switching in solution-processed silicon-nanocrystal film

〇Takeshi Kawauchi¹, Shinya Kano¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:ReRAM, silicon-nanocrystal, application in solution-processed

近年、次世代型メモリとして抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。その中で、フレキシブルReRAMが研究されている。
半導体ナノ結晶コロイドは、大面積かつフレキシブルなナノ結晶薄膜が形成できる。我々は、ホウ素とリンを高濃度に含むシェル層を有する、シリコン(Si)ナノ結晶コロイドの開発を進めている。Siナノ結晶塗布薄膜において、抵抗変化現象が起こることを見出した。本発表では、そのメカニズムを明らかにする。