[16a-424-1~7] CS.4 7. Code-sharing Session: Beam Technology and Nanofabrication

[16a-424-7] Atomic layer etching with gas cluster ion beam

〇Noriaki Toyoda¹, Akihiro Ogawa¹, Isao Yamada¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:Atomic layer etching, Gas cluster ion beam

酢酸分子の吸着とGCIB照射による反応・除去を繰り返し行うことにより、原子層エッチングが可能かどうかを水晶振動子上の銅膜厚測定から検討した。加速電圧5kVの酸素GCIBを酢酸雰囲気下で照射した場合、吸着した酢酸と銅と反応し、膜厚が1Åずつ低下する。加速電圧5kVのGCIB照射では物理的スパッタは起こらず、エッチングはストップする。この吸着・GCIB照射による除去を繰り返すことにより、原子層エッチングが可能であることが分かった。