2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 502 (502)

神谷 利夫(東工大)

09:15 〜 09:30

[16a-502-2] Ga-Sn-O薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク

生島 恵典1、古我 祐貴1、堀 賢将1、松田 時宜1、木村 睦1,2、亀田 友哉2、中島 康彦2 (1.龍谷大理工、2.奈良先端大情報科)

キーワード:ニューラルネットワーク、酸化物半導体、シナプス

ニューラルネットワークとは、人間の脳を基とした情報処理モデルのことであり、自己組成化機能、自己学習機能、並列分散計算機能、ロバスト性などの特徴を持っている。本研究では、ニューラルネットワークの大規模化を想定して、ハードウェアを用いての研究を行った。ここではシナプスに、今後新規酸化物半導体として期待されるGaSnO(GTO)薄膜を用いたシナプスを作製し、これがシナプスとして利用可能であることを確認した。