[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-502-8] Siイオン注入がIGZO薄膜へ与える影響

〇後藤 哲也¹、今泉 文伸¹、須川 成利¹ (1.東北大未来研)

キーワード：IGZO、イオン注入、キャリア濃度

アモルファスInGaZnO（a-IGZO）の薄膜トランジスタ（TFT）において、イオン注入を用いた不純物原子導入によるキャリア濃度制御の検討を行っている。Ga₂O₃のn型ドーパントとして知られるSiをa-IGZOへイオン注入によりドープすることで、IGZO膜へのイオン注入のドーズ量によりキャリア濃度の制御が可能であり、かつその制御性がIn:Ga:Zn比に大きく依存することが分かった。