[16a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16a-503-7] Si/SiO₂/GaN-LED基板を用いたモノリシック型CMOS/LED混載集積回路の作製

〇(M1)中川 翔太¹、土山 和晃¹、宇都宮 修¹、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、岡田 浩²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大　EIIRIS)

キーワード：モノリシック集積、表面活性化ウェハ接合、GaN