2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-B5-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:00 B5 (B5)

鵜殿 治彦(茨城大)、立岡 浩一(静岡大)

09:30 〜 09:45

[16a-B5-3] Mg/Si 同時スパッタ堆積法によるサファイア基板へのMg2Si薄膜合成

池畑 隆1、西城 要1、笹島 良太1、佐藤 直幸1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大院理工)

キーワード:熱電材料、マグネシウムシリサイド、薄膜合成

マグネシウムシリサイドは、無毒で資源豊富な元素のみから構成されるサステナブルな半導体材料であり、PVセルや熱電変換デバイスなどへの応用が期待されている。一方、Siに比べてMgの高い蒸気圧が良質なMg2Si薄膜の気相での合成を妨げている。本研究では、同時スパッタリングによりMg、Si蒸気原子を発生、加熱サファイア基板に輸送し、Mg2Siの気相合成を調査した。