[16a-B5-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-B5-3] Preparation of Mg₂Si thin films by Mg/Si co-sputter deposition on sapphire substrate

〇Takashi Ikehata¹, Motomu Saijo¹, Ryota Sasajima¹, Naoyuki Sato¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:thermoelectric materials, magnesium silicide, thin film preparation

マグネシウムシリサイドは、無毒で資源豊富な元素のみから構成されるサステナブルな半導体材料であり、PVセルや熱電変換デバイスなどへの応用が期待されている。一方、Siに比べてMgの高い蒸気圧が良質なMg₂Si薄膜の気相での合成を妨げている。本研究では、同時スパッタリングによりMg、Si蒸気原子を発生、加熱サファイア基板に輸送し、Mg₂Siの気相合成を調査した。