[16a-B5-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-B5-3] Mg/Si 同時スパッタ堆積法によるサファイア基板へのMg₂Si薄膜合成

〇池畑 隆¹、西城 要¹、笹島 良太¹、佐藤 直幸¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院理工)

キーワード：熱電材料、マグネシウムシリサイド、薄膜合成

マグネシウムシリサイドは、無毒で資源豊富な元素のみから構成されるサステナブルな半導体材料であり、PVセルや熱電変換デバイスなどへの応用が期待されている。一方、Siに比べてMgの高い蒸気圧が良質なMg₂Si薄膜の気相での合成を妨げている。本研究では、同時スパッタリングによりMg、Si蒸気原子を発生、加熱サファイア基板に輸送し、Mg₂Siの気相合成を調査した。