[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-3] ミニマルファブ用新規磁場閉じ込め型ECRプラズマ源を用いたシリコン窒化膜形成

〇後藤 哲也¹、佐藤 恵一朗²、薮田 勇気³、須川 成利¹、原 史朗^4,5 (1.東北大未来研、2.コーテック、3.誠南工業、4.産総研、5.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード：ミニマルファブシステム、シリコン窒化膜、プラズマCVD

新しい半導体生産システムとして産総研によりミニマルファブシステムが提唱されている。ミニマルファブに対応する、永久磁石を用いたミラー磁場閉じ込め型小型ECRプラズマ源の開発を行っている。本プラズマ源を用いて、プラズマCVD成膜による高品質シリコン窒化膜形成への適用を行った。その結果、750℃の熱CVDで成膜したシリコン窒化膜と同等性能が400℃の成膜で得られることを確認できた。