[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-4] ミニマルＣＶＤ省資源プロセス

〇羽深 等¹、松尾 美弥¹、山田 彩未¹、李 寧¹、三ケ原 孝則^2,3、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.産総研)

キーワード：ミニマルマニュファクチャリング、化学気相堆積法、エピタキシャルリアクタ

ハーフインチウエハによる半導体生産システム「ミニマル・マニュファクチャリング」（MM）の開発が進んでいる。MM用化学気相堆積（CVD）装置開発においても省資源・省エネルギーを実現するために、ガス削減と加熱など多項目の開発が進められてきた。本報告では此等を統合し、シリコンエピタキシャル成長を例としてミニマルCVDの省資源プロセスについて考察する。