[16a-E206-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[16a-E206-5] Factor of the thickness distribution on the Minimal Si-CVD equipment

〇Shinichi Ikeda^1,2, Yuuki Ishida^1,2, Takanori Mikahara^1,2, Noriko Miura², Takahiro Ito³, Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.ORIENTAL MOTOR, 4.YOKOHAMA National Univ.)

Keywords:epitaxial Si CVD, minimalfab, gas flow simulation

ミニマルエピタキシャルSi成長装置（CVD装置）の開発では、原料ガス消費量を極限まで削減しボンベを小型化しなければならない。そのために集光加熱縦型コールドウォール方式を採用し、原料利用効率を極限まで高めることを試みている。本発表では、熱と流れに加えて化学反応を連成させたシミュレーションを行い、一方向に偏ったシリコン膜厚分布を再現できる条件を探ったので報告する。