[16a-F201-1~12] 13.10 化合物太陽電池

[16a-F201-1] 三段階法による単結晶基板上Cu(In,Ga)Se₂結晶成長

〇西永 慈郎¹、菅谷 武芳¹、柴田 肇¹ (1.産総研)

キーワード：CIGS太陽電池、エピタキシャル成長、MBE

単結晶基板上CIGS薄膜の結晶成長について報告する。GaAs基板はCIGSと格子不整合が小さいため、InGaSeプレカーサー成膜時より、四回対称のエピタキシャル成長が起こり、第三段階終了後も単結晶薄膜として成膜される。単結晶CIGS薄膜を利用し、太陽電池を作製したところ、変換効率10.8%であったが、CIGS/GaAs界面はオーミック接触であることを確認した。