[16a-F201-1~12] 13.10 化合物太陽電池

[16a-F201-12] CIGSモジュールのDamp Heat試験およびPID試験：IEC規格へのバイアス電圧印加オプションの追加

〇櫻井 啓一郎¹、小川 錦一¹、柴田 肇¹、増田 淳¹、冨田 仁²、シュミッツ ダーシャン²、徳田 修二² (1.産総研、2.ソーラーフロンティア)

キーワード：CIGS, damp heat, PID, voltage bias, IEC

CIGS太陽電池のDamp heat試験については、従来の試験方法（暗所・無バイアスで加熱）では、屋外曝露で確認されておらず、かつ光照射でも回復しない劣化 (Test-specific degradation, TSD) が僅かに発生してしまうことがある。試験条件を実環境に近付けてこのTSDを抑制するため、バイアス電圧を印加しながら試験するオプションを我々から提案し、IEC61215-1-4に採用された。同様に暗所での加熱はPID試験でも行われるため、PID試験方法についても見直しが進められている。これまでに判っている事、および規格の策定状況について発表する。