[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-10] Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製 (2)

〇(M2)宮坂 祐司¹、石川 靖彦¹ (1.東大工)

キーワード：アバランシェフォトダイオード、フォトダイオード

キャリア増幅層・光吸収層ともGeを用いるホモ接合アバランシェ受光器(APD)では、過剰雑音が大きい課題がある。過剰雑音を低減し、かつ低い電界で動作する新構造として、増幅層にSiGe/Geヘテロ接合を用いるAPDを提案・作製してきた。今回は、SiGe/Geヘテロ構造の成長温度がAPD特性に与える影響を検討した。SiGe層の臨界膜厚は成長温度に依存して変化するため、界面形成・APD特性に影響し、低温で成長したデバイスにおいて利得の向上が見られた。