[16a-F204-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[16a-F204-3] SOQ基板上にエピタキシャル成長したGe層の光学的評価

〇(M1)西村 道治¹、大坂 次郎¹、石川 靖彦¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム、シリコン・オン・サファイア

SOI（Si-on-insulator）上にエピタキシャル成長したGe層は、シリコンフォトニクスにおける受光器や光変調器の材料として有効である。本研究ではシリコン・オン・クォーツ基板上にGe層を成長することで、Ge中へ導入される引っ張りひずみを増加することに成功した。