[16a-P3-1~32] 12.7 Biomedical Engineering and Biochips

[16a-P3-28] Relation between Surface Charges and Shottky-Barrier in GaInAsP/InP Semiconductor

〇Yoshito Saijo¹, Takumi Watanabe¹, Yoshiaki Nishijima¹, Toshihiko Baba¹ (1.Yokohama Nat'l Univ.)

Keywords:Flat Band Potential, GaInAsP, Surface Charge

我々はGaInAsPフォトニック結晶ナノレーザのイオン感応性を示してきた．その原理は表面電荷の変化によるショットキー障壁の形成と，それによる半導体自身の屈折率変化と考えている．そこでn型のGaInAsP/InPウェハを空気プラズマに曝露するとフラットバンド電位が通常時に比べて約0.15 V負側に現れた．これはプラズマ曝露による表面電荷の変化を反映していると考えている．つまり表面電荷の変化が障壁高さを変化させたことを確認した．