[16a-P3-1~32] 12.7 医用工学・バイオチップ

[16a-P3-28] GaInAsP/InP半導体における表面電荷とショットキー障壁の関係

〇西條 義人¹、渡部 工¹、西島 喜明¹、馬場 俊彦¹ (1.横国大・院工)

キーワード：フラットバンド電位、GaInAsP、表面電荷

我々はGaInAsPフォトニック結晶ナノレーザのイオン感応性を示してきた．その原理は表面電荷の変化によるショットキー障壁の形成と，それによる半導体自身の屈折率変化と考えている．そこでn型のGaInAsP/InPウェハを空気プラズマに曝露するとフラットバンド電位が通常時に比べて約0.15 V負側に現れた．これはプラズマ曝露による表面電荷の変化を反映していると考えている．つまり表面電荷の変化が障壁高さを変化させたことを確認した．