[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-1] 水素イオン注入n-GaNの熱処理

〇伊豫田 健¹、高林 洸太¹、徳田 豊¹、塩島 謙次²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重試験検査)

キーワード：水素イオン注入、GaN、DLTS

水素イオン注入n-GaNの熱処理効果について、DLTS測定により検討した。用いた試料は、GaN基板上MOCVD n-GaNである。注入量は10¹³ 、10¹⁴ cm^-2 ある。10¹³ cm^-2試料では、電子トラップE0(0.13eV)が大きな信号として観測された。10¹⁴ cm^-2 試料では、n-GaNの高抵抗のためDLTS測定はできなかったが、450℃/３時間の熱処理を行ったところ、測定が可能となった。この時E0は観測されず、新たに４つの電子トラップが出現した。比較的低温の熱処理で、欠陥の消滅・生成が起きている。