[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-13] HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積SiN_x膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化

〇鈴木 貴之¹、土屋 晃祐¹、大保 崇博¹、赤澤 良彦¹、下野 貴史¹、松本 滉太¹、江口 卓也¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、原子層堆積